博世又一家SiC工厂落地！

  近日，博世汽车电子中国区在苏州五厂建成了生产基地，并于2025年1月成功下线首批产品。

  博世表示，尽管本地缺乏SiC模块生产的相关经验，但项目团队仅用两个月便实现了自主生产，较原计划提前半年完成首批产品下线。

  作为第三代半导体材料的典型代表，SiC半导体以其体积小、效率高、功率密度大的显著优势，在新能源汽车领域展现出巨大的应用潜力。

  早在2019年，博世便宣布推进SiC相关业务。近年来，其在全世界内取得了显著进展：

  2021年，博世在德国罗伊特林根工厂投产了基于6英寸SiC晶圆的车规级芯片(目前正在生产基于8英寸晶圆的SiC芯片样品)。

  同年，博世在德国德累斯顿的晶圆厂落成，重点制造12英寸晶圆的MEMS芯片，逐步扩大了其在半导体领域的生产能力。

  2023年，博世收购了美国罗斯威尔芯片工厂，为其SiC业务的全球化布局奠定了基础。

  2024年，博世获得美国政府补贴，计划对罗斯威尔芯片工厂做改造，专注于8英寸SiC功率半导体的生产及产能提升，以此来降低SiC器件成本。

  而在中国这一全球最大的新能源汽车市场(2024年，中国新能源汽车产销分别达到1288.8万辆和1286.6万辆，同比分别增长34.4%和35.5%)，博世自然不会缺席：

  2022年，博世与天岳先进签署了SiC材料供应的长期协议，确保了关键原材料的稳定供应。

  同年，博世控股子公司联合汽车电子启动了太仓工厂二期项目建设，专注于新一代SiC功率模块的生产。

  此外，博世还与广汽埃安、芯聚能签署了三方战略合作协议，全面启动在SiC电驱系统业务上的合作，进一步巩固了其在新能源汽车产业链中的地位。

  2023年，博世投资超10亿美元，在苏州建设新能源汽车核心部件及无人驾驶研发制造基地(苏州第五厂)。

  其中，SiC功率模块生产基地的落成，不仅提升了博世在全球SiC功率模块制造领域的影响力，还明显地增强了其在中国市场的响应速度。

  通过全球布局与本土化战略的结合，博世进一步巩固了其在SiC领域的竞争力，为其在新能源汽车市场的持续领头羊奠定了坚实基础。

  博世集团集汽车系统与半导体业务于一体，这种垂直整合模式在整个市场中具有非常明显优势，能够更好地满足新能源汽车对高性能功率半导体的需求。

  领先的沟槽技术： 博世凭借其专利的沟槽技术，在碳化硅芯片性能上实现了重大突破。

  例如，其第二代SiC芯片采用了沟槽工艺，使pitch size降低了30%，单位面积的Rdson减少了30%，Rdsonsp也逐步优化。相关这类的产品成功应用于小米SU7单电机版的400V电压平台等车型中。

  从整个行业来看，根据Wolfspeed报告，8英寸SiC衬底裸片数量比6英寸提高了近90%，边缘裸片数量占比从14%降低至7%。

  然而，TrendForce集邦咨询研究数据表明，目前8英寸的产品市占率不到2%，但预测2027年市场占有率将成长到20%左右。

  其美国罗斯威尔工厂预计于2026年投产，届时将与其他工厂协同合作，形成灵活高效的供应体系，进一步巩固博世在SiC功率模块领域的领先地位。

  新能源汽车的加快速度进行发展为SiC功率模块带来了广阔的未来市场发展的潜力。作为行业领先企业，博世加码布局SiC功率模块，有望逐步提升其竞争力。

  然而，当前SiC产业竞争日趋激烈。功率器件巨头如意法半导体、英飞凌、士兰微、方正微电子等，都在积极地推进8英寸晶圆转型，通过降本增效来增强市场之间的竞争力。

  在这一背景下，博世要想在激烈的市场竞争中脱颖而出，仍需持续加大技术创新和产能布局的投入，以巩固其行业领先地位。

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